Scientists of IPMash RAS created a technology for obtaining silicon vacancies, i.e. defects in the crystal lattice of silicon carbide, which make this material effective for spintronics
Saint Petersburg and LenTV24 TV channels told about the new material grown by the staff of the laboratory Structural and Phase Transformations in Condensed Media, headed by S.A. Kukushkin
IPMash RAS scientists created the first Russian technology for producing silicon carbide, a crystalline material for microelectronics. It is easy in use and many times cheaper than foreign technologies
Методику получения нового материала для спинтроники, разработанную д.ф-м.н. С.А. Кукушкиным и д.ф-м.н. А.В. Осиповым, президент РАН назвал «новым словом в спинтронике»
Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.
Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
