ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Search by the «полупроводники» tag

Scientists have explained the mechanism of formation of materials for a new generation of optoelectronic devices
The physicists of IPMash RAS, SPSU, HSE and St.PAU have studied the mechanism of formation of three-dimensional structures on a promising semiconductor indium-galium-nitride alloy
385
Перспективы отечественных полупроводников.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
825
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.