ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Search by the «полупроводники» tag

A clean room for the growth of 3C-SiC/Si substrates for  transistor heterostructures has been created at IPMash RAS
On June 19, the Laboratory of Structural and Phase Transformations in Condensed Media hosted the grand opening of the clean room of ISO 7/ISO 8 class
438
Scientists have explained the mechanism of formation of materials for a new generation of optoelectronic devices
The physicists of IPMash RAS, SPSU, HSE and St.PAU have studied the mechanism of formation of three-dimensional structures on a promising semiconductor indium-galium-nitride alloy
1096
Перспективы отечественных полупроводников.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
1251
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.