Научная деятельность

Finite-time sliding mode stabilization using dirty differentiation and disturbance compensation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.т.н. Фуртат И.Б. , Orlov Y. , д.т.н. Фрадков А.Л.

Название издания:

International Journal of Robust and Nonlinear Control

Том издания:

29

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

793 - 809

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/rnc.4273

Estimate of the travelling wave speed for an integro-differential equation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Бессонов Н.М. , Beuter A. , Trofimchuk S. , Volpert V.

Название издания:

Applied Mathematics Letters

Том издания:

88

Страницы издания:

103 - 110

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.aml.2018.07.037

Semipolar GaN(10–11) Epitaxial Layer Prepared on Nano-Patterned SiC/Si(100) Template

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V. , Zubkova A. , Konenkova E. , Konenkov S. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Orlova T. , Rodin S. , Rubets V. , Kibalov D. , Smirnov V.

Название издания:

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Том издания:

256

Выпуск издания:

2 / 1800268

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssb.201800268

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Shugurov K.Y. , Reznik R.R. , Mozharov A.M. , Kotlyar K.P. , Koval O.Y. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Fedorov V.V. , Shtrom I.V. , Bolshakov A.D. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mukhin I.S. , Cirlin G.E.

Название издания:

Materials Science in Semiconductor Processing

Том издания:

90

Страницы издания:

20 - 25

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.09.024

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Timoshnev S.N. , Bouravlev A.D. , Sobolev M.S.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

180 - 187

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619020143

A Control Algorithm for an Object with Delayed Input Signal Based on Subpredictors of the Controlled Variable and Disturbance

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.т.н. Фуртат И.Б. , к.т.н. Гущин П.А.

Название издания:

Automation and Remote Control

Том издания:

80

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

201 - 216

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S0005117919020012

Non-stationary localized oscillations of an infinite Bernoulli-Euler beam lying on the Winkler foundation with a point elastic inhomogeneity of time-varying stiffness

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шишкина Екатерина , д.ф.м.н. Гаврилов Сергей , к.ф.м.н. Мочалова Юлия Алексеевна

Название издания:

Journal of Sound and Vibration

Том издания:

440

Страницы издания:

174 - 185

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jsv.2018.10.016

Non-stationary localized oscillations of an infinite string, with time-varying tension, lying on the Winkler foundation with a point elastic inhomogeneity

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Гаврилов Сергей , к.ф.м.н. Шишкина Екатерина , к.ф.м.н. Мочалова Юлия Алексеевна

Название издания:

Nonlinear Dynamics

Том издания:

95

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

2995 - 3004

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1007/s11071-018-04735-3

Replacement relations for a viscoelastic material containing multiple inhomogeneities

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Вильчевская Е.Н. , Levin V. , Seyedkavoosi S. , Sevostianov I.

Название издания:

International Journal of Engineering Science

Том издания:

136

Страницы издания:

26 - 37

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.ijengsci.2018.12.006

Chimera states and hidden attractors: Comment on “Chimera states in neuronal networks: A review” by S. Majhi, B.K. Bera, D. Ghosh, M. Perc

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Dudkowski D. , д.ф.м.н. Кузнецов Николай Германович , Mokaev T.N.

Название издания:

Physics of Life Reviews

Том издания:

28

Страницы издания:

131 - 133

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.plrev.2019.02.005

On the Mechanism of the Vapor–Solid–Solid Growth of Au-Catalyzed GaAs Nanowires

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Sibirev N.V.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

350 - 360

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619030102

Two-Stage Conversion of Silicon to Nanostructured Carbon by the Method of Coordinated Atomic Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

456 - 463

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030193

Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

288 - 291

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030181

Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kotlyar K.P. , Likhachev A.I. , Nashchekin A.V. , Soshnikov I.P.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

299 - 306

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030272

Threshold Modes of Dynamic Deformation of 1565 Aluminum Alloy

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Диваков А.К. , к.т.н. Жигачева Н.И. , Коновалов Г.В. , д.ф.м.н. Мещеряков Ю.И. , Osokin E.P.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

218 - 220

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019030052

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Показатели Научной деятельности Института

Последние заседания диссертационных советов

Последние объявления о диссертациях

Последние семинары

Последние конференции

Finite-time sliding mode stabilization using dirty differentiation and disturbance compensation

Estimate of the travelling wave speed for an integro-differential equation

Semipolar GaN(10–11) Epitaxial Layer Prepared on Nano-Patterned SiC/Si(100) Template

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

A Control Algorithm for an Object with Delayed Input Signal Based on Subpredictors of the Controlled Variable and Disturbance

Non-stationary localized oscillations of an infinite Bernoulli-Euler beam lying on the Winkler foundation with a point elastic inhomogeneity of time-varying stiffness

Non-stationary localized oscillations of an infinite string, with time-varying tension, lying on the Winkler foundation with a point elastic inhomogeneity

Replacement relations for a viscoelastic material containing multiple inhomogeneities

Chimera states and hidden attractors: Comment on “Chimera states in neuronal networks: A review” by S. Majhi, B.K. Bera, D. Ghosh, M. Perc

On the Mechanism of the Vapor–Solid–Solid Growth of Au-Catalyzed GaAs Nanowires

Two-Stage Conversion of Silicon to Nanostructured Carbon by the Method of Coordinated Atomic Substitution

Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide

Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution

Threshold Modes of Dynamic Deformation of 1565 Aluminum Alloy

Контакты

Международный рейтинг SCIMAGO INSTITUTIONS RANKING на 2021 год.
В общем рейтинге всех научных организаций России, ИПМаш РАН -39 из 146.	В общем рейтинге среди всех организаций науки и высшего образования в России, ИПМаш РАН занимает 88 из 319