Осипов А.В. · Научная деятельность · НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Телятник Р.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

162 - 172

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378341501031X

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

24

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

35 - 40

Approach for electrochemical deposition of copper-graphite films and their mechanical properties

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.х.н. Конаков В.Г. , Kurapova O.Yu. , Novik N.N. , Graschenko A.S. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.х.н. Арчаков Иван Юрьевич

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

24

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

61 - 71

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Senkovskiy B. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

22

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

183 - 190

The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

41

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

259 - 262

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785015030244

Role of elastic energy in the formation of ferroelectric barium strontium titanate films on sapphire

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Tumarkin A.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Ankudinov A.S. , Odinets A.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

815 - 819

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783415040307

Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Rozhavskaya M.M. , Myasoedov A.V. , Troshkov S.I. , Lundin V.V. , Sorokin L.M. , Tsatsul’nikov A.F.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

9

Страницы издания:

1899 - 1907

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783415090218

Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Konenkova E.V. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Rodin S.N. , Rubets V.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

1966 - 1971

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783415100042

Stability of the surface of an elastically strained multicomponent film in a system with chemical reactions

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2524 - 2531

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378341512029X

Infrared spectroscopy of silicon carbide layers synthesized by the substitution of atoms on the surface of single-crystal silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Grudinkin S.A. , Golubev V.G. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2543 - 2549

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783415120136

AB initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strains

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Телятник Р.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

29

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

1 - 16

Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: Vacancy mechanism

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

29

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

82 - 92

Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Antipov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

58

Выпуск издания:

3 / A028

Страницы издания:

629 - 632

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783416030033

Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

58

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

747 - 751

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783416040120

Pendeo-epitaxy of stress-free AlN layer on a profiled SiC/Si substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Karpov D.V. , Konenkova E.V. , Lipovskii A.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Thin Solid Films

Том издания:

606

Страницы издания:

74 - 79

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.03.034

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Осипов А.В. - Главный научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

Approach for electrochemical deposition of copper-graphite films and their mechanical properties

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms

Role of elastic energy in the formation of ferroelectric barium strontium titanate films on sapphire

Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN

Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN

Stability of the surface of an elastically strained multicomponent film in a system with chemical reactions

Infrared spectroscopy of silicon carbide layers synthesized by the substitution of atoms on the surface of single-crystal silicon

AB initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strains

Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: Vacancy mechanism

Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon

Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon

Pendeo-epitaxy of stress-free AlN layer on a profiled SiC/Si substrate

Контакты