Осипов А.В. · Научная деятельность · НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

55

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

77 - 83

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654420010136

Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

55

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

157 - 161

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654420020107

Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Talalaev V.G. , Tomm J.W. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E.

Название издания:

Nanotechnology

Том издания:

31

Выпуск издания:

29 / 294003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab83b6

Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

6

Страницы издания:

539 - 542

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378502006005X

Growth of faceted pores in a multi-component crystal by applying mechanical stress

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

CrystEngComm

Том издания:

22

Выпуск издания:

32

Страницы издания:

5280 - 5288

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1039/d0ce00888e

Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Gorlyak A.N. , Lebedev A.O. , Luchinin V.V. , Markov A.V. , Panov M.F. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

763 - 766

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378502008012X

Coating of a Nanostructured Profiled Si Surface with a SiC Layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

1012 - 1015

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785020100235

The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1103 - 1106

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785020110243

Spiral growth of a multicomponent crystal from vapor of its components

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Crystal Growth

Том издания:

548

Выпуск издания:

/ 125845

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125845

Low-Temperature Growth of the CdS Cubic Phase by Atomic-Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanychev A.I. , Kasatkin I.A. , Loshachenko A.S.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1049 - 1052

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785020110085

A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1695

Выпуск издания:

1 / 012005

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012005

Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials

Том издания:

14

Выпуск издания:

1 / 78

Страницы издания:

1 - 12

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3390/ma14010078

Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Catalysis Today

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.cattod.2021.08.012

Electrical detection of terahertz radiation by silicon carbide nanostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Khromov V.S. , Kukushkin S.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Bagraev N.T. , Klyachkin L.E. , Malyarenko A.M.

Название издания:

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz

Том издания:

2021-August

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1109/IRMMW-THz50926.2021.9567540

The Influence of the Porosity of Silicon Layer on the Elastic Properties of Hybrid SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , Eremeev Y.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

47

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

126 - 129

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785021020085

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Осипов А.В. - Главный научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism

Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond

Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates

Growth of faceted pores in a multi-component crystal by applying mechanical stress

Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation

Coating of a Nanostructured Profiled Si Surface with a SiC Layer

The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution

Spiral growth of a multicomponent crystal from vapor of its components

Low-Temperature Growth of the CdS Cubic Phase by Atomic-Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer

Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms

Electrical detection of terahertz radiation by silicon carbide nanostructure

The Influence of the Porosity of Silicon Layer on the Elastic Properties of Hybrid SiC/Si Substrates

Контакты