( ! ) Notice: Trying to access array offset on value of type bool in /var/www/ipme.ru/system/controllers/users/actions/profile_tab.php on line 43
Call Stack
#TimeMemoryFunctionLocation
10.0000359952{main}( ).../index.php:0
21.62231308592cmsCore->runController( ).../index.php:46
31.62241407016users->runAction( $action_name = '40', $params = [0 => 'science'] ).../core.php:779
41.62281422256users->executeAction( $action_name = 'profile_tab', $params = [0 => ['id' => '40', 'groups' => [...], 'email' => 'oav@ipme.ru', 'password_hash' => '$2y$10$La1bXn9qraxkNvHjWEGNseIHEJBuA6d.gGxIQumZLbFC4DjV/iFVS', 'password' => NULL, 'password_salt' => NULL, 'is_admin' => NULL, 'nickname' => 'Осипов А.В.', 'slug' => '40', 'date_reg' => '2021-03-15 13:50:33', 'date_log' => '2026-07-03 12:20:10', 'date_group' => '2021-03-15 13:50:33', 'ip' => '178.66.158.213', '2fa' => NULL, 'is_deleted' => NULL, 'is_locked' => NULL, 'lock_until' => NULL, 'lock_reason' => NULL, 'pass_token' => NULL, 'date_token' => '2021-03-15 13:51:48', 'friends_count' => '0', 'subscribers_count' => '0', 'time_zone' => 'Europe/Moscow', 'karma' => '0', 'rating' => '0', 'theme' => [...], 'notify_options' => [...], 'privacy_options' => [...], 'status_id' => NULL, 'status_text' => NULL, 'inviter_id' => '1', 'invites_count' => '0', 'date_invites' => '2021-03-15 13:51:48', 'birth_date' => NULL, 'city' => NULL, 'city_cache' => NULL, 'hobby' => NULL, 'avatar' => '---\nnormal: 000/u40/f/2/7e552f0c.jpg\nsmall: 000/u40/6/b/0118acef.jpg\nmicro: 000/u40/b/4/dca7df7a.jpg\n', 'phone' => NULL, 'music' => NULL, 'movies' => NULL, 'site' => NULL, 'first_name' => 'Андрей', 'last_name' => 'Осипов', 'father_name' => 'Викторович', 'stepen' => '---\n- 38\n', 'job' => '---\n- 6\n', 'address' => NULL, 'cat_id' => '---\n- 17\n- 5\n', 'zvanie' => '---\n- 41\n', 'akadem' => NULL, 'scopus' => 'https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57197246436|57197246436', 'rinc' => 'https://elibrary.ru/author_profile.asp?id=18600|18600', 'researchgate' => NULL, 'sciense_area' => 'Карбид кремния, широкозонные полупроводники, разработка новых материалов, спинтроника, метод функционала плотности', 'rewards' => '1. Золотая медаль Европейской Академии для молодых ученых. \r\n2. Стипендиат фонда Гумбольдта (Германия). \r\n3. Премия Samsung для молодых ученых. \r\n4. Награда Правительства Санкт-Петербурга в номинации: “Лучшая инновационная идея за 2010 г.” \r\n5. Член Российского национального комитета по ', 'profevents' => NULL, 'edu' => NULL, 'snils' => '005-588-641 63', 'emailcustom' => 'andrey.v.osipov@gmail.com', 'nickname_en' => 'Osipov A.V.', 'wos' => '|https://www.webofscience.com/wos/author/record/P-4526-2016|P-4526-2016', 'googl_schol' => NULL, 'math_net' => NULL, 'profevents_en' => NULL, 'edu_en' => NULL, 'sciense_area_en' => 'Silicon Carbide, Wide-Bandgap Semiconductors, New Material Design, Spintronics, Density Functional Theory', 'rewards_en' => '1. Gold Medal of the European Academy for Young Scientists. \r\n2. Scholarship of the Humboldt Foundation (Germany). \r\n3. Samsung Award for Young Scientists. \r\n4. Award of St. Petersburg Government in the nomination: "Best Innovative Idea for 2010". \r\n5. Member of Russian National Committee on Theoretical and Applied Mechanics.', 'address_en' => NULL, 'inn' => '780703281228', 'nopublic' => '1', 'oauth_consent' => NULL, 'oauth_id' => NULL, 'inviter_nickname' => 'admin', 'inviter_slug' => '1', 'inviter_is_deleted' => NULL, 'inviter_avatar' => NULL, 'is_online' => '0', 'ctype_name' => 'users', 'inviter' => [...], 'is_can_vote_karma' => FALSE], 1 => 'science'] ).../controller.php:429
51.62281422400users->runExternalAction( $action_name = 'profile_tab', $params = [0 => ['id' => '40', 'groups' => [...], 'email' => 'oav@ipme.ru', 'password_hash' => '$2y$10$La1bXn9qraxkNvHjWEGNseIHEJBuA6d.gGxIQumZLbFC4DjV/iFVS', 'password' => NULL, 'password_salt' => NULL, 'is_admin' => NULL, 'nickname' => 'Осипов А.В.', 'slug' => '40', 'date_reg' => '2021-03-15 13:50:33', 'date_log' => '2026-07-03 12:20:10', 'date_group' => '2021-03-15 13:50:33', 'ip' => '178.66.158.213', '2fa' => NULL, 'is_deleted' => NULL, 'is_locked' => NULL, 'lock_until' => NULL, 'lock_reason' => NULL, 'pass_token' => NULL, 'date_token' => '2021-03-15 13:51:48', 'friends_count' => '0', 'subscribers_count' => '0', 'time_zone' => 'Europe/Moscow', 'karma' => '0', 'rating' => '0', 'theme' => [...], 'notify_options' => [...], 'privacy_options' => [...], 'status_id' => NULL, 'status_text' => NULL, 'inviter_id' => '1', 'invites_count' => '0', 'date_invites' => '2021-03-15 13:51:48', 'birth_date' => NULL, 'city' => NULL, 'city_cache' => NULL, 'hobby' => NULL, 'avatar' => '---\nnormal: 000/u40/f/2/7e552f0c.jpg\nsmall: 000/u40/6/b/0118acef.jpg\nmicro: 000/u40/b/4/dca7df7a.jpg\n', 'phone' => NULL, 'music' => NULL, 'movies' => NULL, 'site' => NULL, 'first_name' => 'Андрей', 'last_name' => 'Осипов', 'father_name' => 'Викторович', 'stepen' => '---\n- 38\n', 'job' => '---\n- 6\n', 'address' => NULL, 'cat_id' => '---\n- 17\n- 5\n', 'zvanie' => '---\n- 41\n', 'akadem' => NULL, 'scopus' => 'https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57197246436|57197246436', 'rinc' => 'https://elibrary.ru/author_profile.asp?id=18600|18600', 'researchgate' => NULL, 'sciense_area' => 'Карбид кремния, широкозонные полупроводники, разработка новых материалов, спинтроника, метод функционала плотности', 'rewards' => '1. Золотая медаль Европейской Академии для молодых ученых. \r\n2. Стипендиат фонда Гумбольдта (Германия). \r\n3. Премия Samsung для молодых ученых. \r\n4. Награда Правительства Санкт-Петербурга в номинации: “Лучшая инновационная идея за 2010 г.” \r\n5. Член Российского национального комитета по ', 'profevents' => NULL, 'edu' => NULL, 'snils' => '005-588-641 63', 'emailcustom' => 'andrey.v.osipov@gmail.com', 'nickname_en' => 'Osipov A.V.', 'wos' => '|https://www.webofscience.com/wos/author/record/P-4526-2016|P-4526-2016', 'googl_schol' => NULL, 'math_net' => NULL, 'profevents_en' => NULL, 'edu_en' => NULL, 'sciense_area_en' => 'Silicon Carbide, Wide-Bandgap Semiconductors, New Material Design, Spintronics, Density Functional Theory', 'rewards_en' => '1. Gold Medal of the European Academy for Young Scientists. \r\n2. Scholarship of the Humboldt Foundation (Germany). \r\n3. Samsung Award for Young Scientists. \r\n4. Award of St. Petersburg Government in the nomination: "Best Innovative Idea for 2010". \r\n5. Member of Russian National Committee on Theoretical and Applied Mechanics.', 'address_en' => NULL, 'inn' => '780703281228', 'nopublic' => '1', 'oauth_consent' => NULL, 'oauth_id' => NULL, 'inviter_nickname' => 'admin', 'inviter_slug' => '1', 'inviter_is_deleted' => NULL, 'inviter_avatar' => NULL, 'is_online' => '0', 'ctype_name' => 'users', 'inviter' => [...], 'is_can_vote_karma' => FALSE], 1 => 'science'] ).../controller.php:453
61.62291423376actionUsersProfileTab->run( $profile = ['id' => '40', 'groups' => [0 => 18, 1 => 3], 'email' => 'oav@ipme.ru', 'password_hash' => '$2y$10$La1bXn9qraxkNvHjWEGNseIHEJBuA6d.gGxIQumZLbFC4DjV/iFVS', 'password' => NULL, 'password_salt' => NULL, 'is_admin' => NULL, 'nickname' => 'Осипов А.В.', 'slug' => '40', 'date_reg' => '2021-03-15 13:50:33', 'date_log' => '2026-07-03 12:20:10', 'date_group' => '2021-03-15 13:50:33', 'ip' => '178.66.158.213', '2fa' => NULL, 'is_deleted' => NULL, 'is_locked' => NULL, 'lock_until' => NULL, 'lock_reason' => NULL, 'pass_token' => NULL, 'date_token' => '2021-03-15 13:51:48', 'friends_count' => '0', 'subscribers_count' => '0', 'time_zone' => 'Europe/Moscow', 'karma' => '0', 'rating' => '0', 'theme' => [], 'notify_options' => ['comments_new' => 'email', 'comments_reply' => 'email', 'groups_invite' => 'both', 'messages_new' => 'email', 'subscriptions' => 'both', 'rating_user_vote' => ''], 'privacy_options' => [], 'status_id' => NULL, 'status_text' => NULL, 'inviter_id' => '1', 'invites_count' => '0', 'date_invites' => '2021-03-15 13:51:48', 'birth_date' => NULL, 'city' => NULL, 'city_cache' => NULL, 'hobby' => NULL, 'avatar' => '---\nnormal: 000/u40/f/2/7e552f0c.jpg\nsmall: 000/u40/6/b/0118acef.jpg\nmicro: 000/u40/b/4/dca7df7a.jpg\n', 'phone' => NULL, 'music' => NULL, 'movies' => NULL, 'site' => NULL, 'first_name' => 'Андрей', 'last_name' => 'Осипов', 'father_name' => 'Викторович', 'stepen' => '---\n- 38\n', 'job' => '---\n- 6\n', 'address' => NULL, 'cat_id' => '---\n- 17\n- 5\n', 'zvanie' => '---\n- 41\n', 'akadem' => NULL, 'scopus' => 'https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57197246436|57197246436', 'rinc' => 'https://elibrary.ru/author_profile.asp?id=18600|18600', 'researchgate' => NULL, 'sciense_area' => 'Карбид кремния, широкозонные полупроводники, разработка новых материалов, спинтроника, метод функционала плотности', 'rewards' => '1. Золотая медаль Европейской Академии для молодых ученых. \r\n2. Стипендиат фонда Гумбольдта (Германия). \r\n3. Премия Samsung для молодых ученых. \r\n4. Награда Правительства Санкт-Петербурга в номинации: “Лучшая инновационная идея за 2010 г.” \r\n5. Член Российского национального комитета по ', 'profevents' => NULL, 'edu' => NULL, 'snils' => '005-588-641 63', 'emailcustom' => 'andrey.v.osipov@gmail.com', 'nickname_en' => 'Osipov A.V.', 'wos' => '|https://www.webofscience.com/wos/author/record/P-4526-2016|P-4526-2016', 'googl_schol' => NULL, 'math_net' => NULL, 'profevents_en' => NULL, 'edu_en' => NULL, 'sciense_area_en' => 'Silicon Carbide, Wide-Bandgap Semiconductors, New Material Design, Spintronics, Density Functional Theory', 'rewards_en' => '1. Gold Medal of the European Academy for Young Scientists. \r\n2. Scholarship of the Humboldt Foundation (Germany). \r\n3. Samsung Award for Young Scientists. \r\n4. Award of St. Petersburg Government in the nomination: "Best Innovative Idea for 2010". \r\n5. Member of Russian National Committee on Theoretical and Applied Mechanics.', 'address_en' => NULL, 'inn' => '780703281228', 'nopublic' => '1', 'oauth_consent' => NULL, 'oauth_id' => NULL, 'inviter_nickname' => 'admin', 'inviter_slug' => '1', 'inviter_is_deleted' => NULL, 'inviter_avatar' => NULL, 'is_online' => '0', 'ctype_name' => 'users', 'inviter' => ['nickname' => 'admin', 'slug' => '1', 'is_deleted' => NULL, 'avatar' => NULL], 'is_can_vote_karma' => FALSE], $tab_name = 'science', $dataset = ??? ).../controller.php:582
 Осипов А.В. · Научная деятельность — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )
ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Сотрудники
  3. Осипов А.В.
Осипов А.В.

Осипов А.В. - Главный научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Показать фильтр
Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Mechanics of Solids
Том издания:
55
Выпуск издания:
1
Страницы издания:
77 - 83
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.3103/S0025654420010136
Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Mechanics of Solids
Том издания:
55
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
157 - 161
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.3103/S0025654420020107
Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Talalaev V.G. , Tomm J.W. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E.
Название издания:
Nanotechnology
Том издания:
31
Выпуск издания:
29 / 294003
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab83b6
Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш.
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
46
Выпуск издания:
6
Страницы издания:
539 - 542
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S106378502006005X
Growth of faceted pores in a multi-component crystal by applying mechanical stress
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
CrystEngComm
Том издания:
22
Выпуск издания:
32
Страницы издания:
5280 - 5288
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1039/d0ce00888e
Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Gorlyak A.N. , Lebedev A.O. , Luchinin V.V. , Markov A.V. , Panov M.F. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
46
Выпуск издания:
8
Страницы издания:
763 - 766
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S106378502008012X
Coating of a Nanostructured Profiled Si Surface with a SiC Layer
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
46
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
1012 - 1015
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785020100235
The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
46
Выпуск издания:
11
Страницы издания:
1103 - 1106
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785020110243
Spiral growth of a multicomponent crystal from vapor of its components
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Journal of Crystal Growth
Том издания:
548
Выпуск издания:
/ 125845
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125845
Low-Temperature Growth of the CdS Cubic Phase by Atomic-Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanychev A.I. , Kasatkin I.A. , Loshachenko A.S.
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
46
Выпуск издания:
11
Страницы издания:
1049 - 1052
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785020110085
A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
1695
Выпуск издания:
1 / 012005
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012005
Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.
Название издания:
Materials
Том издания:
14
Выпуск издания:
1 / 78
Страницы издания:
1 - 12
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.3390/ma14010078
Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.
Название издания:
Catalysis Today
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1016/j.cattod.2021.08.012
Electrical detection of terahertz radiation by silicon carbide nanostructure
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Khromov V.S. , Kukushkin S.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Bagraev N.T. , Klyachkin L.E. , Malyarenko A.M.
Название издания:
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
Том издания:
2021-August
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1109/IRMMW-THz50926.2021.9567540
The Influence of the Porosity of Silicon Layer on the Elastic Properties of Hybrid SiC/Si Substrates
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Koryakin A.A. , Eremeev Y.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
47
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
126 - 129
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785021020085
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • Max Канал в Max
  • Telegram Чат
  • ВКОНТАКТЕ ВК ИПМаш РАН
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.