Редьков А.В. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Low-Temperature Atmospheric Pressure Plasma-Enhanced CVD of Nanocomposite Coatings “Molybdenum Disulfide (Filler)–Silicon Oxide (Matrix)”

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Alexandrov S.E. , Tyurikov K.S. , Kirilenko D.A. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Lipovskii A.A.

Название издания:

Advanced Materials Interfaces

Том издания:

4

Выпуск издания:

18 / 1700241

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/admi.201700241

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

917

Выпуск издания:

3 / 032028

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/3/032028

Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Телятник Р.С. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

917

Выпуск издания:

3 / 032038

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/3/032038

Self-Assembled Silver–Gold Nanoisland Films on Glass for SERS Applications

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Babich E. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Reduto I. , Lipovskii A.

Название издания:

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters

Том издания:

12

Выпуск издания:

1 / 1700226

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssr.201700226

Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

Journal of Nano- and Electronic Physics

Том издания:

10

Выпуск издания:

3 / 03026

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03026

Growth of sic films by the method of substitution of atoms on porous si (100) and (111) substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

36

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

39 - 52

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.18720/MPM.3612018_4

Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Том издания:

7

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

P158 - P160

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1149/2.0061804jss

Nucleation of CdSe thin films: The kinetic model

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1124

Выпуск издания:

2 / 022044

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1124/2/022044

Spiral growth of a crystal due to chemical reaction

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1124

Выпуск издания:

2 / 022006

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1124/2/022006

The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Kidalov V.V. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Dydenchuk A.F.

Название издания:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Том издания:

7

Выпуск издания:

9

Страницы издания:

P480 - P486

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1149/2.0191809jss

A new method for synthesis of epitaxial films of silicon carbide on sapphire substrates (-Al 2 O 3 )

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Feoktistov N.A. , Fedotov S.D. , Statsenko V.N. , Sokolov E.M. , Timoshenkov S.P.

Название издания:

Reviews on Advanced Materials Science

Том издания:

57

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

82 - 96

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1515/rams-2018-0050

Plasma assisted molecular beam epitaxy of thin GaN films on Si(111) and SiC/Si(111) substrates: Effect of SiC and polarity issues

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Thin Solid Films

Том издания:

646

Страницы издания:

158 - 162

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.11.037

A New Trigonal (Rhombohedral) SiC Phase: Ab Initio Calculations, a Symmetry Analysis and the Raman Spectra

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kitaev Y.E. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

60

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

2066 - 2071

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783418100116

Investigation of the Physicomechanical Characteristics of Nanoscale Films by Nanoindentation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

53

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

481 - 488

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654418080010

Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss)

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Kidalov V.V. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Том издания:

8

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

X1

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1149/2.0011906jss

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Редьков А.В. - Ведущий научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Low-Temperature Atmospheric Pressure Plasma-Enhanced CVD of Nanocomposite Coatings “Molybdenum Disulfide (Filler)–Silicon Oxide (Matrix)”

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE

Self-Assembled Silver–Gold Nanoisland Films on Glass for SERS Applications

Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms

Growth of sic films by the method of substitution of atoms on porous si (100) and (111) substrates

Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon

Nucleation of CdSe thin films: The kinetic model

Spiral growth of a crystal due to chemical reaction

The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates

A new method for synthesis of epitaxial films of silicon carbide on sapphire substrates (-Al 2 O 3 )

Plasma assisted molecular beam epitaxy of thin GaN films on Si(111) and SiC/Si(111) substrates: Effect of SiC and polarity issues

A New Trigonal (Rhombohedral) SiC Phase: Ab Initio Calculations, a Symmetry Analysis and the Raman Spectra

Investigation of the Physicomechanical Characteristics of Nanoscale Films by Nanoindentation

Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss)

Контакты