Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.
Корреспонденты ТАСС посвятили статью новым прорывным результатам исследований, выполненных в лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах.
Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов.
В этом году завершили обучение в Сколково: д.т.н. Фуртат Игорь Борисович и к.ф-м.н. Редьков Алексей Викторович. Они поделились впечатлениями и опытом, которые были получены за период обучения.
Сотрудниками ИПМаш РАН под руководством профессора, доктора технических наук Игоря Борисовича Фуртата разработан новый дивергентный метод исследования устойчивости динамических систем.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
