Кукушкин С.А. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1695

Выпуск издания:

1 / 012005

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012005

Nucleation of nano-islands of pure components during growth of a multicomponent crystal via step-flow mode

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1695

Выпуск издания:

1 / 012003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012003

Drastic change in surface electronic properties and creation of a new carbon-based nanostructure on the vicinal SiC(111)-4° surface

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Timoshnev S.N. , Benemanskaya G.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1697

Выпуск издания:

1 / 012247

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012247

Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials

Том издания:

14

Выпуск издания:

1 / 78

Страницы издания:

1 - 12

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3390/ma14010078

Dielectric and polar properties of aluminum nitride single crystals

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sergeeva O.N. , Solnyshkin A.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Kazarova O.P. , Mohov E.N. , Yu. Kaptelov E. , Pronin I.P.

Название издания:

Ferroelectrics

Том издания:

576

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

55 - 61

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1888260

Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Catalysis Today

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.cattod.2021.08.012

Special issue: Silicon carbide: From fundamentals to applications

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Materials

Том издания:

14

Выпуск издания:

5 / 1081

Страницы издания:

1 - 4

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3390/ma14051081

The Influence of the Porosity of Silicon Layer on the Elastic Properties of Hybrid SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , Eremeev Y.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

47

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

126 - 129

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785021020085

Magnetic Properties of Thin Epitaxial SiC Layers Grown by the Atom-Substitution Method on Single-Crystal Silicon Surfaces

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bagraev N.T. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanov V.V. , Klyachkin L.E. , Malyarenko A.M. , Khromov V.S.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

55

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

137 - 145

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378262102007X

Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Кандаков А.В. , к.ф.м.н. Осипова Елена Владимировна , Kotlyar K.P. , Ubyivovk E.V.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

63

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

442 - 448

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783421030100

Dielectric and Pyroelectric Properties of Composites Based on Aluminum and Gallium Nitrides Grown by Chloride-Hydride Epitaxy on a Silicon Carbide-on-Silicon Substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Solnyshkin A.V. , Sergeeva O.N. , Shustova O.A. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Staritsyn M.V. , Kaptelov E.Y. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Pronin I.P.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

47

Выпуск издания:

6

Страницы издания:

466 - 469

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785021050138

Self-Consistent Modeling of Nucleation and Growth of 2D Islands on the Top Facet of Self-Catalyzed GaAs Nanowires

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Том издания:

258

Выпуск издания:

6 / 2000604

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssb.202000604

Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1954

Выпуск издания:

1 / 012009

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1954/1/012009

Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Crystal Growth and Design

Том издания:

21

Выпуск издания:

9

Страницы издания:

4914 - 4926

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.1c00349

Formation of composite SiC-C coatings on graphite via annealing Si-melt in CO

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Surface and Coatings Technology

Том издания:

423

Выпуск издания:

/ 127610

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2021.127610

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

Nucleation of nano-islands of pure components during growth of a multicomponent crystal via step-flow mode

Drastic change in surface electronic properties and creation of a new carbon-based nanostructure on the vicinal SiC(111)-4° surface

Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer

Dielectric and polar properties of aluminum nitride single crystals

Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms

Special issue: Silicon carbide: From fundamentals to applications

The Influence of the Porosity of Silicon Layer on the Elastic Properties of Hybrid SiC/Si Substrates

Magnetic Properties of Thin Epitaxial SiC Layers Grown by the Atom-Substitution Method on Single-Crystal Silicon Surfaces

Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

Dielectric and Pyroelectric Properties of Composites Based on Aluminum and Gallium Nitrides Grown by Chloride-Hydride Epitaxy on a Silicon Carbide-on-Silicon Substrate

Self-Consistent Modeling of Nucleation and Growth of 2D Islands on the Top Facet of Self-Catalyzed GaAs Nanowires

Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates

Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

Formation of composite SiC-C coatings on graphite via annealing Si-melt in CO

Контакты