Кукушкин С.А. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Cherkashin N.A. , Sakharov A.V. , Nikolaev A.E. , Lundin V.V. , Usov S.O. , Ustinov V.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Tsatsul’nikov A.F.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

47

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

753 - 756

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378502108006X

Spin polarization and magnetic moment in silicon carbide grown by the method of coordinated substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials

Том издания:

14

Выпуск издания:

19 / 5579

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3390/ma14195579

Elastic properties of porous silicon layer of hybrid SiC/Si substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Eremeev I.A. , Koryakin A.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

2086

Выпуск издания:

1 / 012006

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012006

Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

2086

Выпуск издания:

1 / 012012

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012012

Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Inorganic Materials

Том издания:

57

Выпуск издания:

13

Страницы издания:

1319 - 1339

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S0020168521130021

Semipolar AlN and GaN on Si(100): HVPE technology and layer properties

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V. , Kalmykov A. , Konenkova E. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A. , Poletaev N. , Rodin S.

Название издания:

Journal of Crystal Growth

Том издания:

457

Страницы издания:

202 - 206

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.05.025

Formation mechanisms and the orientation of selfpolarization in PZT polycristalline thin films

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Pronin I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Spirin V.V. , Senkevich S.V. , Kaptelov E.Y. , Dolgintsev D.M. , Pronin V.P. , Kiselev D.A. , Sergeeva O.N.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

30

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

20 - 34

Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kitaev Y.E. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

28 - 33

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417010164

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

32

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

262 - 271

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

32

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

108 - 116

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.18720/MPM.3222017-2

Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Soshnikov I.P.

Название издания:

Reviews on Advanced Materials Science

Том издания:

52

Выпуск издания:

1-2

Страницы издания:

29 - 42

Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Antipov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

399 - 402

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417020020

Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

51

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

396 - 401

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782617030149

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Journal of Physics and Chemistry of Solids

Том издания:

102

Страницы издания:

151 - 156

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.11.004

Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Egorov V.K. , Egorov E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

773 - 779

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417040072

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

Spin polarization and magnetic moment in silicon carbide grown by the method of coordinated substitution of atoms

Elastic properties of porous silicon layer of hybrid SiC/Si substrates

Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material

Semipolar AlN and GaN on Si(100): HVPE technology and layer properties

Formation mechanisms and the orientation of selfpolarization in PZT polycristalline thin films

Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method

Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer

Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide

Контакты