Кукушкин С.А. · Научная деятельность · НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kasatkin I.A. , Mikhailovskii V.Y. , Romanychev A.I.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

42

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

30 - 39

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.18720/MPM.4212019_4

The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Reznik R. , Soshnikov I. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Talalaev V. , Cirlin G.

Название издания:

AIP Conference Proceedings

Том издания:

2064

Выпуск издания:

/ 040004

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1063/1.5087683

A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Benemanskaya G.V. , Dement’ev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

201 - 204

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019030039

Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kotlyar K.P. , Likhachev A.I. , Nashchekin A.V. , Soshnikov I.P.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

299 - 306

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030272

Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

288 - 291

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030181

Two-Stage Conversion of Silicon to Nanostructured Carbon by the Method of Coordinated Atomic Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

456 - 463

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030193

On the Mechanism of the Vapor–Solid–Solid Growth of Au-Catalyzed GaAs Nanowires

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Koryakin A.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Sibirev N.V.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

350 - 360

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619030102

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Timoshnev S.N. , Bouravlev A.D. , Sobolev M.S.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

180 - 187

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619020143

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Shugurov K.Y. , Reznik R.R. , Mozharov A.M. , Kotlyar K.P. , Koval O.Y. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Fedorov V.V. , Shtrom I.V. , Bolshakov A.D. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mukhin I.S. , Cirlin G.E.

Название издания:

Materials Science in Semiconductor Processing

Том издания:

90

Страницы издания:

20 - 25

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.09.024

Semipolar GaN(10–11) Epitaxial Layer Prepared on Nano-Patterned SiC/Si(100) Template

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V. , Zubkova A. , Konenkova E. , Konenkov S. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Orlova T. , Rodin S. , Rubets V. , Kibalov D. , Smirnov V.

Название издания:

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Том издания:

256

Выпуск издания:

2 / 1800268

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssb.201800268

Microstructure and electrical response of thin SiC films on Si substrates of p- and n-types

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sergeeva O.N. , Solnyshkin A.V. , Nekrasova G.M. , Senkevich S.V. , Pronin I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Ferroelectrics

Том издания:

542

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

52 - 57

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1080/00150193.2019.1574662

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

7

Страницы издания:

711 - 713

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019070277

Techniques for Polytypic Transformations in Silicon Carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

1389 - 1393

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378341908016X

Epitaxial Growth of Zinc Sulfide by Atomic Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Antipov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1075 - 1077

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019110026

Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Timoshnev S.N. , Mizerov A.M. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Bouravleuv A.D.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

14

Страницы издания:

1935 - 1938

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619140239

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface

Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution

Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide

Two-Stage Conversion of Silicon to Nanostructured Carbon by the Method of Coordinated Atomic Substitution

On the Mechanism of the Vapor–Solid–Solid Growth of Au-Catalyzed GaAs Nanowires

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

Semipolar GaN(10–11) Epitaxial Layer Prepared on Nano-Patterned SiC/Si(100) Template

Microstructure and electrical response of thin SiC films on Si substrates of p- and n-types

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Techniques for Polytypic Transformations in Silicon Carbide

Epitaxial Growth of Zinc Sulfide by Atomic Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates

Контакты