Кукушкин С.А. · Научная деятельность · НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

First-order phase transition through an intermediate state

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

56

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

792 - 800

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783414040143

A new method of replacement atoms for the synthesis of epitaxial layers of SiC on Si: From theory to practice

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

541

Выпуск издания:

1 / 012003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/541/1/012003

Semipolar GaN on SI(001): The role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A.V. , Rodin S.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shcheglov M.P.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

21

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

71 - 77

Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

40

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

1114 - 1116

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785014120268

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , Zubkova A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Orlova T.A. , Rodin S.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

21

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

266 - 274

Semipolar gallium nitride on silicon: Technology and properties

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Rodin S.N.

Название издания:

Reviews on Advanced Materials Science

Том издания:

38

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

75 - 93

Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics D: Applied Physics

Том издания:

47

Выпуск издания:

31 / 313001

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/31/313001

Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Rodin S.N. , Shcheglov M.P. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

40

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

386 - 388

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785014050046

Synthesis of epitaxial silicon carbide films through the substitution of atoms in the silicon crystal lattice: A review

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

56

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

1507 - 1535

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783414080137

Morphological stability criterion for a spherical crystallization front in a multicomponent system with chemical reactions

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

56

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2530 - 2536

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378341412018X

Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Телятник Р.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

162 - 172

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378341501031X

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

24

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

35 - 40

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Senkovskiy B. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

22

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

183 - 190

SEM, dielectric, pyroelectric, and piezoelectric response of thin epitaxial AlN films grown on SiC/Si substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sergeeva O.N. , Bogomolov A.A. , Solnyshkin A.V. , Komarov N.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Krasovitsky D.M. , Dudin A.L. , Kiselev D.A. , Ksenich S.V. , Senkevich S.V. , Kaptelov E.Y. , Pronin I.P.

Название издания:

Ferroelectrics

Том издания:

477

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

121 - 130

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1080/00150193.2015.1000144

The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

41

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

259 - 262

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785015030244

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

First-order phase transition through an intermediate state

A new method of replacement atoms for the synthesis of epitaxial layers of SiC on Si: From theory to practice

Semipolar GaN on SI(001): The role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

Semipolar gallium nitride on silicon: Technology and properties

Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films

Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer

Synthesis of epitaxial silicon carbide films through the substitution of atoms in the silicon crystal lattice: A review

Morphological stability criterion for a spherical crystallization front in a multicomponent system with chemical reactions

Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

SEM, dielectric, pyroelectric, and piezoelectric response of thin epitaxial AlN films grown on SiC/Si substrate

The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms

Контакты