Осипов А.В. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Magnetic Properties of Thin Epitaxial SiC Layers Grown by the Atom-Substitution Method on Single-Crystal Silicon Surfaces

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bagraev N.T. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanov V.V. , Klyachkin L.E. , Malyarenko A.M. , Khromov V.S.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

55

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

137 - 145

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378262102007X

Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Кандаков А.В. , к.ф.м.н. Осипова Елена Владимировна , Kotlyar K.P. , Ubyivovk E.V.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

63

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

442 - 448

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783421030100

Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1954

Выпуск издания:

1 / 012009

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1954/1/012009

Formation of Hexagonal Ge Stripes on the Side Facets of AlGaAs Nanowires: Implications for Near-Infrared Detectors

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Ilkiv I.V. , Kotlyar K.P. , Kirilenko D.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Soshnikov I.P. , Mikushev S.V. , Dubrovskii V.G. , Cirlin G.E.

Название издания:

ACS Applied Nano Materials

Том издания:

4

Выпуск издания:

7

Страницы издания:

7289 - 7294

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1021/acsanm.1c01266

Formation of composite SiC-C coatings on graphite via annealing Si-melt in CO

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Surface and Coatings Technology

Том издания:

423

Выпуск издания:

/ 127610

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2021.127610

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Cherkashin N.A. , Sakharov A.V. , Nikolaev A.E. , Lundin V.V. , Usov S.O. , Ustinov V.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Tsatsul’nikov A.F.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

47

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

753 - 756

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378502108006X

Spin polarization and magnetic moment in silicon carbide grown by the method of coordinated substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials

Том издания:

14

Выпуск издания:

19 / 5579

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3390/ma14195579

Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

2086

Выпуск издания:

1 / 012012

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012012

Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Inorganic Materials

Том издания:

57

Выпуск издания:

13

Страницы издания:

1319 - 1339

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S0020168521130021

Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kitaev Y.E. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

28 - 33

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417010164

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

32

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

108 - 116

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.18720/MPM.3222017-2

Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Soshnikov I.P.

Название издания:

Reviews on Advanced Materials Science

Том издания:

52

Выпуск издания:

1-2

Страницы издания:

29 - 42

Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Antipov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

399 - 402

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417020020

Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

51

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

396 - 401

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782617030149

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Journal of Physics and Chemistry of Solids

Том издания:

102

Страницы издания:

151 - 156

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.11.004

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Осипов А.В. - Главный научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Magnetic Properties of Thin Epitaxial SiC Layers Grown by the Atom-Substitution Method on Single-Crystal Silicon Surfaces

Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates

Formation of Hexagonal Ge Stripes on the Side Facets of AlGaAs Nanowires: Implications for Near-Infrared Detectors

Formation of composite SiC-C coatings on graphite via annealing Si-melt in CO

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

Spin polarization and magnetic moment in silicon carbide grown by the method of coordinated substitution of atoms

Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material

Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method

Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer

Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Контакты