Осипов А.В. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Egorov V.K. , Egorov E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

773 - 779

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417040072

Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , Panteleev V.N.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

674 - 681

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417040114

Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kalinina E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

51

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

621 - 627

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782617050086

X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nussupov K.K. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Beisenkhanov N.B. , Bakranova D.I.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

1014 - 1026

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417050195

Drift mechanism of mass transfer on heterogeneous reaction in crystalline silicon substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physica B: Condensed Matter

Том издания:

512

Страницы издания:

26 - 31

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.physb.2017.02.018

Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V. , Kalmykov A. , Konenkov S. , Konenkova E. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Panteleev V.

Название издания:

Microelectronic Engineering

Том издания:

178

Страницы издания:

34 - 37

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.047

A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

6

Страницы издания:

1238 - 1241

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417060130

The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

43

Выпуск издания:

7

Страницы издания:

631 - 634

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785017070094

Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

872

Выпуск издания:

1 / 012030

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/872/1/012030

Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Rozhavskaya M.M. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Myasoedov A.V. , Troshkov S.I. , Sorokin L.M. , Brunkov P.N. , Baklanov A.V. , Телятник Р.С. , Juluri R.R. , Pedersen K. , Popok V.N.

Название издания:

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Том издания:

214

Выпуск издания:

10 / 1700190

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssa.201700190

MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Shtrom I.V. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Cirlin G.E.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

51

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1472 - 1476

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782617110252

Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nussupov K.K. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Beisenkhanov N.B. , Bakranova D.I.

Название издания:

Superlattices and Microstructures

Том издания:

111

Страницы издания:

899 - 911

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.07.050

Quantum mechanical theory of epitaxial transformation of silicon to silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics D: Applied Physics

Том издания:

50

Выпуск издания:

46 / 464006

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa8f69

IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Grudinkin S.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2430 - 2435

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417120186

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

917

Выпуск издания:

3 / 032028

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/3/032028

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Осипов А.В. - Главный научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide

Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates

Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice

X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method

Drift mechanism of mass transfer on heterogeneous reaction in crystalline silicon substrate

Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties

A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon

The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms

Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time

Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution

MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon

Quantum mechanical theory of epitaxial transformation of silicon to silicon carbide

IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

Контакты