Гращенко А.С. · Научная деятельность · НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Nanotwinned copper-graphene foils - A brief review

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.х.н. Конаков В.Г. , Kurapova O.Yu. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Golubev S.N. , Solovyeva E.N. , к.х.н. Арчаков Иван Юрьевич

Название издания:

Reviews on Advanced Materials Science

Том издания:

51

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

160 - 176

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Journal of Physics and Chemistry of Solids

Том издания:

102

Страницы издания:

151 - 156

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.11.004

Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kalinina E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

51

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

621 - 627

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782617050086

Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

872

Выпуск издания:

1 / 012030

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/872/1/012030

Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

Journal of Nano- and Electronic Physics

Том издания:

10

Выпуск издания:

3 / 03026

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03026

Growth of sic films by the method of substitution of atoms on porous si (100) and (111) substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

36

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

39 - 52

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.18720/MPM.3612018_4

Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Том издания:

7

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

P158 - P160

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1149/2.0061804jss

The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Kidalov V.V. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Dydenchuk A.F.

Название издания:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Том издания:

7

Выпуск издания:

9

Страницы издания:

P480 - P486

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1149/2.0191809jss

A new method for synthesis of epitaxial films of silicon carbide on sapphire substrates (-Al 2 O 3 )

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Feoktistov N.A. , Fedotov S.D. , Statsenko V.N. , Sokolov E.M. , Timoshenkov S.P.

Название издания:

Reviews on Advanced Materials Science

Том издания:

57

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

82 - 96

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1515/rams-2018-0050

Study of the Anisotropic Elastoplastic Properties of β-Ga2O3 Films Synthesized on SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nikolaev V.I. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Осипова Елена Владимировна , Soshnikov I.P.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

60

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

852 - 857

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783418050104

Structural and elastoplastic properties of β - Ga 2O 3 films grown on hybrid SiC/Si substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nikolaev V.I. , к.ф.м.н. Осипова Елена Владимировна , Pechnikov A.I. , Soshnikov I.P.

Название издания:

Continuum Mechanics and Thermodynamics

Том издания:

30

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

1059 - 1068

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1007/s00161-018-0662-6

Investigation of the Physicomechanical Characteristics of Nanoscale Films by Nanoindentation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

53

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

481 - 488

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654418080010

Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss)

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Kidalov V.V. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Dyadenchuk A.F.

Название издания:

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Том издания:

8

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

X1

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1149/2.0011906jss

Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kotlyar K.P. , Likhachev A.I. , Nashchekin A.V. , Soshnikov I.P.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

299 - 306

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419030272

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Timoshnev S.N. , Bouravlev A.D. , Sobolev M.S.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

180 - 187

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619020143

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Гращенко А.С. - Старший научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Nanotwinned copper-graphene foils - A brief review

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice

Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time

Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms

Growth of sic films by the method of substitution of atoms on porous si (100) and (111) substrates

Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon

The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates

A new method for synthesis of epitaxial films of silicon carbide on sapphire substrates (-Al 2 O 3 )

Study of the Anisotropic Elastoplastic Properties of β-Ga2O3 Films Synthesized on SiC/Si Substrates

Structural and elastoplastic properties of β - Ga 2O 3 films grown on hybrid SiC/Si substrates

Investigation of the Physicomechanical Characteristics of Nanoscale Films by Nanoindentation

Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss)

Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

Контакты