Кукушкин С.А. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Growth of a multicomponent crystal via Chernov's mechanism

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012039

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012039

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012003

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012244

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012244

Influence of Orientation of a Silicon Substrate with a Buffer Silicon Carbide Layer on Dielectric and Polar Properties of Aluminum Nitride Films

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sergeeva O.N. , Solnyshkin A.V. , Kiselev D.A. , Il’ina T.S. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Kaptelov E.Y. , Pronin I.P.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2386 - 2391

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783419120485

Theory of phase transformations in the mechanics of solids and its applications for description of fracture, formation of nanostructures and thin semiconductor films growth

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Key Engineering Materials

Том издания:

528

Страницы издания:

145 - 164

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.528.145

Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sorokin L.M. , Kalmykov A.E. , Myasoedov A.V. , Bessolov V.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

471

Выпуск издания:

1 / 012033

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/471/1/012033

HVPE growth of GaN in the semipolar direction on planar Si(210)

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V. , Konenkova E. , Shcheglov M. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikolaev V.

Название издания:

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Том издания:

10

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

433 - 436

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssc.201200566

A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Applied Physics

Том издания:

113

Выпуск издания:

2 / 024909

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1063/1.4773343

Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Vcherashnii D.B. , Obukhov S.A. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

39

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

488 - 491

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785013050234

Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nikolaev V.I. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Shcheglov M.P.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

39

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

274 - 276

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378501303019X

A new mechanism of elastic energy relaxation in heteroepitaxy of monocrystalline films: Interaction of point defects and dilatation dipoles

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

48

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

216 - 227

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654413020143

Elastic interaction of point defects in crystals with cubic symmetry

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Kuz'michev S.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

48

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

431 - 438

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654413040110

Anisotropy of the solid-state epitaxy of silicon carbide in silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

47

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

1551 - 1555

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782613120129

Epitaxial silicon carbide on a 6″ silicon wafer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lukyanov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

40

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

36 - 39

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785014010088

Sequential structural characterization of layers in the GaN/AlN/SiC/Si(111) system by X-ray diffraction upon every growth stage

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Ratnikov V.V. , Kalmykov A.E. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Sorokin L.M.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

39

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

994 - 997

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785013110230

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Growth of a multicomponent crystal via Chernov's mechanism

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Influence of Orientation of a Silicon Substrate with a Buffer Silicon Carbide Layer on Dielectric and Polar Properties of Aluminum Nitride Films

Theory of phase transformations in the mechanics of solids and its applications for description of fracture, formation of nanostructures and thin semiconductor films growth

Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure

HVPE growth of GaN in the semipolar direction on planar Si(210)

A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique

Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate

A new mechanism of elastic energy relaxation in heteroepitaxy of monocrystalline films: Interaction of point defects and dilatation dipoles

Elastic interaction of point defects in crystals with cubic symmetry

Anisotropy of the solid-state epitaxy of silicon carbide in silicon

Epitaxial silicon carbide on a 6″ silicon wafer

Sequential structural characterization of layers in the GaN/AlN/SiC/Si(111) system by X-ray diffraction upon every growth stage

Контакты