Осипов А.В. · Научная деятельность · НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Timoshnev S.N. , Bouravlev A.D. , Sobolev M.S.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

53

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

180 - 187

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782619020143

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Shugurov K.Y. , Reznik R.R. , Mozharov A.M. , Kotlyar K.P. , Koval O.Y. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Fedorov V.V. , Shtrom I.V. , Bolshakov A.D. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mukhin I.S. , Cirlin G.E.

Название издания:

Materials Science in Semiconductor Processing

Том издания:

90

Страницы издания:

20 - 25

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.09.024

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

7

Страницы издания:

711 - 713

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019070277

Techniques for Polytypic Transformations in Silicon Carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

61

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

1389 - 1393

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378341908016X

Epitaxial Growth of Zinc Sulfide by Atomic Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Antipov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1075 - 1077

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019110026

Growth of a multicomponent crystal via Chernov's mechanism

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012039

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012039

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012003

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012244

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012244

Theory of phase transformations in the mechanics of solids and its applications for description of fracture, formation of nanostructures and thin semiconductor films growth

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Key Engineering Materials

Том издания:

528

Страницы издания:

145 - 164

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.528.145

Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sorokin L.M. , Kalmykov A.E. , Myasoedov A.V. , Bessolov V.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

471

Выпуск издания:

1 / 012033

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/471/1/012033

HVPE growth of GaN in the semipolar direction on planar Si(210)

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V. , Konenkova E. , Shcheglov M. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikolaev V.

Название издания:

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Том издания:

10

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

433 - 436

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/pssc.201200566

A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Applied Physics

Том издания:

113

Выпуск издания:

2 / 024909

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1063/1.4773343

Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Vcherashnii D.B. , Obukhov S.A. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

39

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

488 - 491

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785013050234

Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nikolaev V.I. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Shcheglov M.P.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

39

Выпуск издания:

3

Страницы издания:

274 - 276

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378501303019X

A new mechanism of elastic energy relaxation in heteroepitaxy of monocrystalline films: Interaction of point defects and dilatation dipoles

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

48

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

216 - 227

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654413020143

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Осипов А.В. - Главный научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Techniques for Polytypic Transformations in Silicon Carbide

Epitaxial Growth of Zinc Sulfide by Atomic Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

Growth of a multicomponent crystal via Chernov's mechanism

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Theory of phase transformations in the mechanics of solids and its applications for description of fracture, formation of nanostructures and thin semiconductor films growth

Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure

HVPE growth of GaN in the semipolar direction on planar Si(210)

A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique

Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate

A new mechanism of elastic energy relaxation in heteroepitaxy of monocrystalline films: Interaction of point defects and dilatation dipoles

Контакты